接地導(dǎo)通測(cè)試儀 變壓器綜合測(cè)試系統(tǒng)

21、HN6065接地引下線導(dǎo)通測(cè)試儀
接地導(dǎo)通測(cè)試儀 變壓器綜合測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
 新頒布的《電力安全工器具預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》中要求須定期對(duì)攜帶型短路接地線及個(gè)人保護(hù)接地線做成組直流電阻試驗(yàn)。        
 接地引下線導(dǎo)通測(cè)試儀是我公司研制的一種自動(dòng)化程度很高的便攜式測(cè)試儀,用于測(cè)量攜帶型短路接地線以及個(gè)人保護(hù)接地線的直流電阻。該接地導(dǎo)通測(cè)試儀采用高性能單片機(jī)控制，可實(shí)現(xiàn)測(cè)試過程智能化，操作簡(jiǎn)單方便、精度高、測(cè)試速度快，復(fù)測(cè)性好、讀數(shù)直觀，是符合規(guī)程要求的理想的儀器，大大方便了試驗(yàn)項(xiàng)目的開展，提高了工作效率。VOCs檢測(cè)技術(shù)的日新月益對(duì)VOCs的檢測(cè)、監(jiān)控、減排有很大的促進(jìn)作用。本次為您介紹常用的VOCs檢測(cè)技術(shù)。實(shí)驗(yàn)室VOCs檢測(cè)VOCs實(shí)驗(yàn)室分析發(fā)展較早，也比較成熟。分析方法為使用采樣袋、蘇碼罐、吸附劑或吸收液將VOCs采集回實(shí)驗(yàn)室，再經(jīng)過熱解析、溶劑解析等前處理過程后，利用GC或HPLC分析。實(shí)驗(yàn)室VOCs檢測(cè)主要難點(diǎn)在于選擇合適的采樣方法保證可以采集到所有揮發(fā)性有機(jī)污染物，制定規(guī)范的運(yùn)輸方案防止運(yùn)輸過程中VOCs的損失，選擇合適的前處理過程保證所有的揮發(fā)性有機(jī)物進(jìn)入分析儀器。
 接地導(dǎo)通測(cè)試儀符合標(biāo)準(zhǔn)GB6587-86《電子測(cè)量?jī)x器環(huán)境試驗(yàn)總綱》及GB6593-86《電子儀器質(zhì)量檢定規(guī)則》的要求。

產(chǎn)品別稱：智能型接地引下線導(dǎo)通測(cè)試儀、接地導(dǎo)通測(cè)試儀。 IEC61850有什么特點(diǎn)作為基于網(wǎng)絡(luò)通訊平臺(tái)的變電站的標(biāo)準(zhǔn)，IEC61850系列標(biāo)準(zhǔn)共*類、14個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，它的特點(diǎn)也是十分的鮮明。，它定義了變電站的信息分層結(jié)構(gòu)，將變電站的通信體系分為3個(gè)層次，即變電站層、間隔層和過程層，并且定義了層和層之間的通信接口；其次它采用了面向?qū)ο蟮臄?shù)據(jù)建模技術(shù)，定義了基于客戶機(jī)/服務(wù)器結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)模型；并且它對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行自描述，定義了采用設(shè)備名、邏輯節(jié)點(diǎn)名、實(shí)例編號(hào)和數(shù)據(jù)類名建立對(duì)象名的命名規(guī)則；采用面向?qū)ο蟮姆椒?，定義了對(duì)象之間的通信服務(wù)。

產(chǎn)品特征：
1、用于變電站內(nèi)各個(gè)電力設(shè)備接地引下線之間的導(dǎo)通電阻值的測(cè)量接地導(dǎo)通測(cè)試儀 變壓器綜合測(cè)試系統(tǒng)
2、體積小巧便于攜帶
3、液晶全中文菜單，操作簡(jiǎn)單直觀
4、測(cè)試速度快，準(zhǔn)確度高，數(shù)據(jù)重復(fù)性好，抗干擾能力強(qiáng)。
WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級(jí)封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級(jí)封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測(cè)試等技術(shù)，在技術(shù)發(fā)展的過程中對(duì)以上領(lǐng)域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造領(lǐng)域*臺(tái)積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝技術(shù)功不可沒。技術(shù)參數(shù)
項(xiàng)目 技術(shù)指標(biāo)及參數(shù)
測(cè)試電流 1A   5A   10A   
測(cè)量范圍 1A       1μΩ~20Ω
5A       1μΩ~4Ω
10A       1μΩ~2Ω
測(cè)量準(zhǔn)確度 ±（0.2%滿量程±2個(gè)字）
DM濾波器衰減了中頻段DM噪聲（2MHz至30MHz）近35dBμV/m。此外高頻段噪聲（30MHz至100MHz）也有所降低，但仍超過限制水平。這主要是因?yàn)镈M濾波器對(duì)于高頻段CM噪聲的濾除能力有限。C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶DM濾波器）顯示了增加CM和DM濾波器后的噪聲特性。與相比，CM濾波器的增加降低了近20dBμV/m的CM噪聲。并且EMI性能也通過了CISPR25C5標(biāo)準(zhǔn)。C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性（帶CM和DM濾波器）顯示了不同布局下帶CM和DM濾波器的噪聲特性，其中濾波器與相同。顯示方式 128×64點(diǎn)陣顯示（電阻顯示為4 1/2位）
分辨率 0.1μΩ
電源 AC 220V±22V，50Hz±2 Hz（管5A）
功耗 600W（測(cè)試電流為10A時(shí)）
工作環(huán)境 環(huán)境溫度 0°～40°
相對(duì)濕度 ≤80%
體積 400╳200╳280  (mm)
接地導(dǎo)通測(cè)試儀 變壓器綜合測(cè)試系統(tǒng)去耦電容還可以為器件提供局部化的DC電壓源，它在減少跨板浪涌電流方面特別有用。旁路：從元件或電纜中轉(zhuǎn)移出不想要的共模RF能量。這主要是通過產(chǎn)生AC旁路消除無意的能量進(jìn)入敏感的部分，另外還可以提供基帶濾波功能(帶寬受限)。我們經(jīng)?？梢钥吹?，在電源和地之間連接著去耦電容，它有三個(gè)方面的作用：一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產(chǎn)生的高頻噪聲，切斷其通過供電回路進(jìn)行傳播的通路;三是防止電源攜帶的噪聲對(duì)電路構(gòu)成干擾。MOSI-主設(shè)備數(shù)據(jù)輸出，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸入;MISO–主設(shè)備數(shù)據(jù)輸入，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸出;SCLK–時(shí)鐘信號(hào)，由主設(shè)備產(chǎn)生;SS–從設(shè)備使能信號(hào)，有主設(shè)備控制;SPI標(biāo)準(zhǔn)通訊接口SPI通訊接口的優(yōu)點(diǎn)是傳輸數(shù)據(jù)快，能達(dá)到幾兆到幾十兆，并且沒有系統(tǒng)開銷。SPI總線的缺點(diǎn)也比較明顯，主要是沒有的流控制，也沒有應(yīng)答機(jī)制確認(rèn)是否接收到數(shù)據(jù)。單線SPI接口還有一種另類的SPI通訊接口方式。
重量 5kg（帶配件）